联发科天玑9000详细参数曝光,为全球首颗台积电4nm工艺旗舰芯片

ITBEAR科技资讯 时间:2021-11-19 发表评论

ITBEAR科技资讯11月19日消息,众所周知联发科方面将在明年第一季度。发布自己的旗舰级芯片天玑2000,用于“对抗”高通骁龙898处理器。不过根据近日信息显示,天玑2000和高通骁龙898两款芯片均改变了命名,分别为天玑9000和Snapdragon 8 gen 1。

今日上午,知名数码博主@数码闲聊站 爆料,称“天玑9000详细参数来了,为全球首颗基于台积电4nm的旗舰芯。

该博主表示,官方数据是对比当前安卓旗舰芯,GB5单核提升10%,跑分估计在1.2k±/4k±,安兔兔100万+。GPU有35%的性能提升,60%能效比提升”。并且外围堆料也很豪华,具有8MB三级缓存+6MB系统缓存,支持7500Mbps LPDDR5x,最高支持3.2亿像素ISP。

结合此前消息,全新的联发科天玑9000芯片将采用台积电4nm工艺制程和新一代v9构架,拥有1×3.0GHz X2超大核+3×2.85GHz大核+4×1.8GHz小核,采用Mali-G710 MC10 GPU,且搭载第5代AI处理器(主要用于拍摄游戏视频的应用方面)。

目前,大概知道高通骁龙898处理器的首发对象可能是小米或者摩托罗拉。但遗憾的是,还未知将有哪款手机首发天玑900芯片。有人透露该芯片将在明年2月份有望亮相,就让我们敬请期待吧。

 
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